E=mc2
Forum de discutii libere
Subiecte din
Stiinta - Filosofie-Religie
Prezentari de subiecte tangentiale
Paranormal - Astrologie - Minuni geografice
Sfaturi practice
Meditatii online pentru bacalaureat
|
Nou pe simpatie:
Ioanacatalina din Salaj
 | Femeie
25 ani
Salaj
cauta Barbat
25 - 61 ani |
|
|
E=mc2InregistrareLoginPozeNu sunteti logat. Lista Forumurilor Pe Tematici
|
| #31 |
|
|
Memoriile EEPROM folosesc un principiu asemanator , numai ca pentru trecerea electronilor stratul izolator utilizeaza efectul tunel[1s] . Structura tranzistorului de memorare si a unei celule de memorie este data in figura de mai jos : Celula de memorie pentru acest tip de circuit este formata din doua tranzistoare TEC obisnuit (T2) si tranzistorul prezentat mai sus (T1) care este un TEC-MOS.Intr-o celula de memorie stearsa , grila izolata este incarcata cu sarcina negativa si tranzistorul T1 este blocat.
Stergerea informatiei din celula se face astfel : se aplica tensiunea pozitiva(+20 V) pe linia de selectie cuvant punand in conductie tranzistorul T. Drena acestuia se conecteaza la potential zero si se aplica +20V pe linia de programare .Datorita campului electric intern mare . electronii care trec din substrat prin efect tunel si se acumuleaza in grila izolata ,formand o sarcina negativa .
Inscrierea informatiei in celula se face aplicand +20V pe linia selectie cuvant(WL) si +18V in drena tranzistorului T2 in timp ce linia de programare este la potential zero .Campul electric format intre grila si substrat (= substrat ,- grila ) smulge electroni din grila a doua , aceasta acumuleaza sarcina pozitiva si tranzistorul T1 intra in conductie prin formarea canalului "n" intre drena si sursa.
|
|
| |
|
